近红外光可以穿透硅和其他半导体材料，揭示其内部的结构信息， 包括缺陷和不均匀性，这一特性可应用于半导体生产和太阳能电池检测中，以提高良率和效率。光达创新正式发布新一代可见光-近红外增强图像探测器Pi0130。凭借其卓越的成像性能和创新技术设计，将为精密制造过程中的质量控制和缺陷检测提供强有力的技术支持。

Pi0130具备覆盖可见光-近红外（0.3~1.3μm）的宽光谱响应范围，这一特性使其在半导体和光伏制造过程中展现出独特优势。在半导体行业，该探测器能够精准捕捉晶圆表面的微观缺陷和杂质分布，实现对半导体材料的高精度检测；在光伏领域，则可有效识别太阳能电池片的隐裂、瑕疵等质量隐患，为提升光伏组件良率提供可靠保障。

Pi0130搭载光达创新自主研发的PiNIR™专利传感器技术，在多项核心性能上实现突破。该探测器凭借130万像素（1024×1280）的高分辨率，可精准捕捉半导体晶圆线路与光伏电池片的微观结构特征；其特有的低暗电流设计显著提升信噪比，确保在弱光环境下仍能获得纯净清晰的检测图像；同时，全局快门架构有效消除高速检测中的图像畸变，为动态生产环境提供无拖影的稳定成像。这些技术优势共同为精密制造行业的视觉检测树立了新的可靠标准。

光达创新可根据客户具体需求，提供全方位的定制化光电解决方案，确保Pi0130的卓越性能能够更好地满足不同应用场景的特殊要求。

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